“반도체 장치의 검사방법및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리”, US patent application No. 2013-0120988 , 2014. (사사: SAMSUNG System LSI, IB-201305-020-1-US0, 과기원관리번호: IP12110705)

” 반도체 장치의 검사 방법 및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리”, 국내출원번호: 10-2013-0120988 (사사: 삼성전자 System LSI)

“Characteristics of very low temperature ALD Al2O3 gate dielectric for top gate graphene MOSFET applications”, Ext. Abs. of Int. Workshop on Dielectric Thin Film, p.21, 2011.

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