국제
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이병훈, 김소영, 김윤지, 심창후 "쇼트키 접합 그래핀 반도체를 이용한 삼진 배리스터" US Patent 10,243,076 (2019-03-26) [사사: 글로벌프론티어사업, 미래소재디스커버리 사업]
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국제
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이병훈, 장경은, "그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 이의 제조방법," US Patent , 16/864,077 (2020-04-30)
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국내
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이병훈, 이용수, 김소영 "스페이서 층이 있는 이종 접합 기반의 음미분저항 소자" 국내출원번호, 2020-0033836 (2020.03.19), 2020.
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국내
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이병훈, 김기영, 김소영 "다중 문턱 전압 소자를 기반으로 하는 4진법 논리 인버터" 국내출원번호, 2019-0169058 (2019.12.17), 2019.
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국내
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이병훈, 김소영, 김기영, "그래핀 반도체 접합소자" 국내출원번호, 2019-0157819 (2019.11.29), 2019.
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국내
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이병훈, 장경은, "어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 이의 제조방법" 국내출원번호, 2019-00525555 (2019.05.03), 2019.
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국내
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이병훈, 장경은, "그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 이의 제조방법," 국내특허 (출원번호 10-2019-0052549)
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국내
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이병훈, 김소영, 함문호, 윤명한, 지상수, 이원준, "이차원 물질 층을 포함하는 광검출기의 제조방법", ", 국내출원번호, 2018-0116078, (2018.09.28), 2018.
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국내
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노진우, 허선우, 이병훈, 이영곤, "시간-도메인 반사 측정 신호를 이용한 고주파대역 정전용량 추출 방법, 장치 및 이를 구현하는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체," 국내특허 (사사: SK 하이닉스)
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국제
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Byoung Hun LEE, Yun Ji KIM, So-Young KIM, " GRAPHENE TRANSISTOR AND TERNARY LOGIC DEVICE USING THE SAME (그래핀 트랜지스터 및 이를 이용한 3진로직 소자) " 해외출원번호, US 15/424154, 2017. [사사: 미래소재디스커버리사업, 정보전자디바이스산업원천기술개발사업]
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국내
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이병훈, 김소영, 김윤지, 심창후 "그래핀-반도체 쇼트키접합을 이용한 터너리 스위치, Ternary switch using a graphene-semiconductor Schottky junction" 국내출원번호, 2016-0150019 (2016.11.11), 2016. [사사: 글로벌프론티어사업, 미래소재디스커버리 사업]
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국내
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이병훈, 조지영, "전압변조다중유전율소재," 국내출원번호, 2015.
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국제
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이병훈, 장경은, 유태진, 황현준,"이득조절이 가능한 그래핀-반도체 쇼트키접한 광전소자 Gate tunable graphene/Si Schottky junction photodetector" 해외출원번호, US 15/440922, 2017.
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국내
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이병훈, 장경은, 유태진, 황현준,"이득조절이 가능한 그래핀-반도체 쇼트키접한 광전소자 Gate tunable graphene/Si Schottky junction photodetector" 국내출원번호, 10-2016-0024910 (2016.03.02), 2016., 등록번호 10-1938934 (2019-01-09) [사사: 글로벌프론티어]
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국내
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이병훈, 김윤지, 김소영, " 그래핀 트랜지스터 및 이를 이용한 3진논리 소자, " 국내출원번호, 10-2016-0015088, 2016. [사사: 창의소재디스커버리사업, 정보전자디바이스산업원천기술개발사업]
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국내
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이병훈, 정현담, "실시간 밴드갭조절이 가능한 극박막실리콘전계효과소자", 국내출원번호 2015-0168406 (2015.11.30)
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국내
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유원종, 이대영, 류정진, 이병훈, "이차원소재의 화학적 도핑을 이용한 수직형 박막 p-n 다이오드," 국내출원번호 2015-0110924 (2015.08.06). 등록 번호 10-1818657 [사사: 글로벌프론티어사업]
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국제
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Sang Kyung Lee, Sangchul Lee, Byoung Hun Lee, " Graphene transfer to target substrate using vacuum annealing method ( 진공 열처리를 이용하여 그래핀을 원하는 기판에 전사하는 방법 )", 해외 출원 번호 PCT/KR2015/000085, 2015. (사사:터치융복합클러스터, 글로벌프론티어)
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국제
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Byoung Hun Lee, Yong Hun Kim, Young Gon Lee, "반도체 장치의 검사방법및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리", US patent application No. 2013-0120988 , 2014. (사사: SAMSUNG System LSI, IB-201305-020-1-US0,
과기원관리번호: IP12110705)
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국내
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Chang Goo Kang, Sang Kyung Lee, Byoung Hun Lee, "그래핀 포토디텍터 및 그 제조 방법 (Graphene photodetector with Al2O3 passivation layer) ", 국내출원 번호 2014-0002154, 2014. (사사:미래융합파이오니어, 글로벌프론티어)
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국내
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Sang Kyung Lee, Sangchul Lee, Byoung Hun Lee, " Graphene transfer to target substrate using vacuum annealing method ( 진공 열처리를 이용하여 그래핀을 원하는 기판에 전사하는 방법 )", 국내 출원 번호 10-2014-0001059, 2013. (사사:터치융복합클러스터, 글로벌프론티어)
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국내
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Yong Hun Kim, Young Gon Lee, Byoung Hun Lee, " 반도체 장치의 검사 방법 및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리", 국내출원번호: 10-2013-0120988 (사사: 삼성전자 System LSI)
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국제
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Byoung Hun Lee, Hyeon Jun Hwang, Yun Ji Kim, " Graphene multi-valued logic device, operation method thereof, and fabrication method thereof ", 해외 출원 번호 : 14/136493 (해외출원) (사사: 미래융합파이오니어, 글로벌 프론티어)
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Byoung Hun Lee, Hyeon Jun Hwang, Yun Ji Kim, " 그래핀 다치 로직 소자, 이의 동작방법 및 이의 제조방법 ", 국내출원번호 2012-0150200, 국내 등록 번호 1423925, Dec. 2012 (국내출원) (사사: 미래융합파이오니어, 글로벌 프론티어)
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국제
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Hyeon Jun Hwang and Byoung Hun Lee, " 그래핀을 이용한 메모리 소자 및 이의 제조 방법," 출원번호 PCT/KR2012/005186, June, 2012 (해외출원)
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국내
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Hyeon Jun Hwang and Byoung Hun Lee, " 그래핀을 이용한 메모리소자 및 이의 제조방법," 출원번호 2012-0071127, June, 2012 (국내출원)
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국내
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Byoung Hun Lee, Hyeon Jun Hwang, , "강유전체를 이용한 그래핀 PN 접합소자 및 이의 제조방법," 출원번호 10-2011-0065159.
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국내
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Byoung Hun Lee, Eun Jeong Paek, Hyeon Jun Hwang, Chun Hum Cho, "압전효과를 이용한 그래핀 터치센서," 출원번호 10-2011-0030182, 2011.
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국내
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Byoung Hun Lee, Hyunsang Hwang, and Chunhum Cho, “그래핀 제조방법,” 출원번호. : 10-2009-0099611, 2011.
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국내
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Byoung Hun Lee , Hyunsang Hwang, “나노스위치," 출원번호 10-2009-0040570, 2011.
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국제
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K.P.Cheung, D.Heh, R.Choi, B.H. Lee, “Method for measuring capacitance”, U.S. patentNo. 6828630, 2009.06.16
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국제
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A.Chou, M.Chudzik, T.Furukawa, O.Glueschenkovm P.Kirsch, B.H.Lee, K.Onishi, H.Park, K.Scheer, A.Sekiguchi, “Forming gate oxide having multiple thickness,” U.S. patent No. 7,160,771, 2007.
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국제
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H. Park, B. H. Lee, P. D Agnello, D.J. Schepis, G.G. Shahidi, “CMOS device on ultrathin SOI with a deposited raised source/drain, and a method of manufacture ,” US patent No.6891228 and No. 6828630, 2005.
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국제
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B.H. Lee, B.Dirahoui, E.Leobandung, T.Su, “Triple layer hard mask for gate patterning to fabricate scaled transistor,” US patent No.6800530, 2004
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국제
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7 |
B.H. Lee and A.Mocuta, “Method of forming asymmetric extension MOSFET using a drain side spacer ,” US.Patent No.6746924, 2004.
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국제
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6 |
B.H. Lee, E.Leobandung, G.Shahidi, “ Integration of dual workfunction metal gate CMOS devices,” US patent No. 6653698, 2003.
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국제
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5 |
G.Cha, B.H. Lee, "Apparatus and methods for wafer debonding using a liquid jet,” US patent No.5783022, 1998.
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국제
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4 |
B.H. Lee, "Wafer polishing device,” US patent No.5735731, 1998.
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국제
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3 |
B.H. Lee, "Semiconductor device having X-ray lithographic mask and method for manufacturing the same,” US patent No. 5700603, 1997.
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국제
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2 |
B.H. Lee, C.J.Kang, K.W.Lee, G.Cha, "SOI substrate manufacturing method,” US patent No.5665631, 1997.
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국제
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1 |
B.H. Lee, J.H.Lee,"Chemical mechanical polishing(CMP) apparatus and CMP method using the same,” US patent No.805697, 1997.
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