구분 번호 제목
국제 41 이병훈, 김소영, 김윤지, 심창후 "쇼트키 접합 그래핀 반도체를 이용한 삼진 배리스터"  US Patent 10,243,076 (2019-03-26) [사사: 글로벌프론티어사업, 미래소재디스커버리 사업]
국제 40 이병훈, 장경은,  "그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 이의 제조방법,"  US Patent , 16/864,077 (2020-04-30)
국내 39 이병훈, 이용수, 김소영 "스페이서 층이 있는 이종 접합 기반의 음미분저항 소자" 국내출원번호, 2020-0033836 (2020.03.19), 2020.
국내 38 이병훈, 김기영, 김소영 "다중 문턱 전압 소자를 기반으로 하는 4진법 논리 인버터" 국내출원번호, 2019-0169058 (2019.12.17), 2019.
국내 37 이병훈, 김소영, 김기영, "그래핀 반도체 접합소자" 국내출원번호, 2019-0157819 (2019.11.29), 2019.
국내 36 이병훈, 장경은, "어레이형 그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 이의 제조방법" 국내출원번호, 2019-00525555 (2019.05.03), 2019.
국내 35 이병훈, 장경은,  "그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 이의 제조방법," 국내특허 (출원번호 10-2019-0052549)
국내 34 이병훈, 김소영, 함문호, 윤명한, 지상수, 이원준, "이차원 물질 층을 포함하는 광검출기의 제조방법", ", 국내출원번호, 2018-0116078, (2018.09.28), 2018.
국내 33 노진우, 허선우, 이병훈, 이영곤,  "시간-도메인 반사 측정 신호를 이용한 고주파대역 정전용량 추출 방법, 장치 및 이를 구현하는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체," 국내특허 (사사: SK 하이닉스)
국제 32 Byoung Hun LEE, Yun Ji KIM, So-Young KIM, " GRAPHENE TRANSISTOR AND TERNARY LOGIC DEVICE USING THE SAME (그래핀 트랜지스터 및 이를 이용한 3진로직 소자) " 해외출원번호, US 15/424154, 2017. [사사: 미래소재디스커버리사업, 정보전자디바이스산업원천기술개발사업]
국내 31 이병훈, 김소영, 김윤지, 심창후 "그래핀-반도체 쇼트키접합을 이용한 터너리 스위치, Ternary switch using a graphene-semiconductor Schottky junction" 국내출원번호, 2016-0150019 (2016.11.11), 2016. [사사: 글로벌프론티어사업, 미래소재디스커버리 사업]
국내 30 이병훈, 조지영, "전압변조다중유전율소재," 국내출원번호, 2015.
국제 29 이병훈, 장경은, 유태진, 황현준,"이득조절이 가능한 그래핀-반도체 쇼트키접한 광전소자 Gate tunable graphene/Si Schottky junction photodetector" 해외출원번호, US 15/440922, 2017.
국내 28 이병훈, 장경은,  유태진, 황현준,"이득조절이 가능한 그래핀-반도체 쇼트키접한 광전소자 Gate tunable graphene/Si Schottky junction photodetector" 국내출원번호, 10-2016-0024910 (2016.03.02), 2016., 등록번호 10-1938934 (2019-01-09)  [사사: 글로벌프론티어]
국내 27 이병훈, 김윤지, 김소영, " 그래핀 트랜지스터 및 이를 이용한 3진논리 소자, " 국내출원번호, 10-2016-0015088, 2016. [사사: 창의소재디스커버리사업, 정보전자디바이스산업원천기술개발사업]
국내 26 이병훈, 정현담, "실시간 밴드갭조절이 가능한 극박막실리콘전계효과소자", 국내출원번호 2015-0168406 (2015.11.30)
국내 25 유원종, 이대영, 류정진, 이병훈, "이차원소재의 화학적 도핑을 이용한 수직형 박막 p-n 다이오드," 국내출원번호 2015-0110924 (2015.08.06). 등록 번호 10-1818657  [사사: 글로벌프론티어사업]
국제 24 Sang Kyung Lee, Sangchul Lee, Byoung Hun Lee, " Graphene transfer to target substrate using vacuum annealing method ( 진공 열처리를 이용하여 그래핀을 원하는 기판에 전사하는 방법 )", 해외 출원 번호 PCT/KR2015/000085, 2015. (사사:터치융복합클러스터, 글로벌프론티어)
국제 23 Byoung Hun Lee, Yong Hun Kim, Young Gon Lee, "반도체 장치의 검사방법및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리", US patent application No. 2013-0120988 , 2014. (사사: SAMSUNG System LSI, IB-201305-020-1-US0, 과기원관리번호: IP12110705)
국내 22 Chang Goo Kang, Sang Kyung Lee, Byoung Hun Lee, "그래핀 포토디텍터 및 그 제조 방법 (Graphene photodetector with Al2O3 passivation layer) ", 국내출원 번호 2014-0002154, 2014. (사사:미래융합파이오니어, 글로벌프론티어)
국내 21 Sang Kyung Lee, Sangchul Lee, Byoung Hun Lee, " Graphene transfer to target substrate using vacuum annealing method ( 진공 열처리를 이용하여 그래핀을 원하는 기판에 전사하는 방법 )", 국내 출원 번호 10-2014-0001059, 2013. (사사:터치융복합클러스터, 글로벌프론티어)
국내 20 Yong Hun Kim, Young Gon Lee, Byoung Hun Lee, " 반도체 장치의 검사 방법 및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리", 국내출원번호: 10-2013-0120988 (사사: 삼성전자 System LSI)
국제 19 Byoung Hun Lee, Hyeon Jun Hwang, Yun Ji Kim, " Graphene multi-valued logic device, operation method thereof, and fabrication method thereof ", 해외 출원 번호 : 14/136493 (해외출원) (사사: 미래융합파이오니어, 글로벌 프론티어)
국내 18 Byoung Hun Lee, Hyeon Jun Hwang, Yun Ji Kim, " 그래핀 다치 로직 소자, 이의 동작방법 및 이의 제조방법 ", 국내출원번호 2012-0150200, 국내 등록 번호 1423925, Dec. 2012 (국내출원) (사사: 미래융합파이오니어, 글로벌 프론티어)
국제 17 Hyeon Jun Hwang and Byoung Hun Lee, " 그래핀을 이용한 메모리 소자 및 이의 제조 방법," 출원번호 PCT/KR2012/005186, June, 2012 (해외출원)
국내 16 Hyeon Jun Hwang and Byoung Hun Lee, " 그래핀을 이용한 메모리소자 및 이의 제조방법," 출원번호 2012-0071127, June, 2012 (국내출원)
국내 15 Byoung Hun Lee, Hyeon Jun Hwang, , "강유전체를 이용한 그래핀 PN 접합소자 및 이의 제조방법," 출원번호 10-2011-0065159.
국내 14 Byoung Hun Lee, Eun Jeong Paek, Hyeon Jun Hwang, Chun Hum Cho, "압전효과를 이용한 그래핀 터치센서," 출원번호 10-2011-0030182, 2011.
국내 13 Byoung Hun Lee, Hyunsang Hwang, and Chunhum Cho, “그래핀 제조방법,” 출원번호. : 10-2009-0099611, 2011.
국내 12 Byoung Hun Lee , Hyunsang Hwang, “나노스위치," 출원번호 10-2009-0040570, 2011.
국제 11 K.P.Cheung, D.Heh, R.Choi, B.H. Lee, “Method for measuring capacitance”, U.S. patentNo. 6828630, 2009.06.16
국제 10 A.Chou, M.Chudzik, T.Furukawa, O.Glueschenkovm P.Kirsch, B.H.Lee, K.Onishi, H.Park, K.Scheer, A.Sekiguchi, “Forming gate oxide having multiple thickness,” U.S. patent No. 7,160,771, 2007.
국제 9 H. Park, B. H. Lee, P. D Agnello, D.J. Schepis, G.G. Shahidi, “CMOS device on ultrathin SOI with a deposited raised source/drain, and a method of manufacture ,” US patent No.6891228 and No. 6828630, 2005.
국제 8 B.H. Lee, B.Dirahoui, E.Leobandung, T.Su, “Triple layer hard mask for gate patterning to fabricate scaled transistor,” US patent No.6800530, 2004
국제 7 B.H. Lee and A.Mocuta, “Method of forming asymmetric extension MOSFET using a drain side spacer ,” US.Patent No.6746924, 2004.
국제 6 B.H. Lee, E.Leobandung, G.Shahidi, “ Integration of dual workfunction metal gate CMOS devices,” US patent No. 6653698, 2003.
국제 5 G.Cha, B.H. Lee, "Apparatus and methods for wafer debonding using a liquid jet,” US patent No.5783022, 1998.
국제 4 B.H. Lee, "Wafer polishing device,” US patent No.5735731, 1998.
국제 3 B.H. Lee, "Semiconductor device having X-ray lithographic mask and method for manufacturing the same,” US patent No. 5700603, 1997.
국제 2 B.H. Lee, C.J.Kang, K.W.Lee, G.Cha, "SOI substrate manufacturing method,” US patent No.5665631, 1997.
국제 1 B.H. Lee, J.H.Lee,"Chemical mechanical polishing(CMP) apparatus and CMP method using the same,” US patent No.805697, 1997.