Choi, Han-Na (H.N.Choi)

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M.S Course

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82-62-715-2816

Research Interest

Carbon Photonics

Education

Since 2013 : M.S., Dept. of MSE, GIST
2009 – 2013 : B.S., Dept. of MSE, Chonnam National University

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Conferences

구분	번호	제목
국제	453	Min Gyu Kwon, Cihyun Kim, Tae Jin Yoo, Kyoung Eun Chang, Hyeon Jun Hwang, Byoung Hun Lee, "Improvement of performance of graphene/Ge photodetector by graphene doping chemical concentration", NANO KOREA, (2019)
국제	452	Seung-Mo Kim, Yongsu Lee, Sunwoo Heo, Ho-In Lee, Min Gyu Kwon, Hyeon Jun Hwang, and Byoung Hun Lee, "Pure physical defects formation using AFM lithography on graphene channel", NANO KOREA, (2019)
국제	451	Cihyun Kim, Tae Jin Yoo, Min Gyu Kwon, Kyoung Eun Chang, Yongsu Lee, Hyeon Jun Hwang, and Byoung Hun Lee, "Performance improvement of graphene/Ge Schottky junction infrared photodetector with interfacial thin oxide layer", Nano Korea, (2019)
국제	450	Yongsu Lee, Chaeeun Kim, So-Young Kim, Kiyung Kim, Seung-Mo Kim, Sunwoo Heo, Ho-In Lee, Cihyun Kim, Hyeon Jun Hwang, and Byoung Hun Lee, "Structural improvement of DNTT graphene barristor by vertical drain electrode", Nano Korea, (2019)
국제	449	Ho-In Lee, Sunwoo Heo, Seung-Mo Kim, Yongsu Lee, Nguyen van Long, Hyeon Jun Hwang, Myung Mo Sung and Byoung Hun Lee, "Implementation of pseudo-n type ternary logic circuits using double stacked ZnO composite nanolayer Field-Effect-Transistors ", Nano Korea, (2019)
국제	448	Chaeeun Kim, So-Young Kim, Yongsu Lee, Kiyung Kim, Byoung Hun Lee, "Contact Doping Layer for Graphene/DNTT Barristor", 2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), (2019)
국제	447	Kiyung Kim, Sunwoo Heo, So-Young Kim, and Byoung Hun Lee, "Graphene Barristor Model for Ternary Logic Application", 2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD), (2019)
국제	446	B.H.Lee, K.E.Chang, C.H. Kim, T.J.Yoo, M.G.Gwon, "High sensitivity and low cost infrared photodetector using a gated graphene/semiconductor heterojunction," presented at European MRS, Nice, France, 2019.
국제	445	So-Young Kim, Sunwoo Heo, Kiyung Kim, Myungwoo Son, Seung-Mo Kim, Ho-In Lee, Yongsu Lee, Hyeon Jun Hwang, Moon-Ho Ham, Byoung Hun Lee, "Demonstration of ternary devices and circuits using dual channel graphene barristors", IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic (ISMVL), (2019)
국내	444	유태진, 이용수, 이상경, 황현준, 이병훈, "CVD 그래핀의 성장시간에 따른 전기적 특성 변화", The 26th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2019)
국내	443	김채은, 김승모, 허선우, 이용수, 김기영, 김민범, 이병훈, "유기물 반도체 두께에 따른 그래핀/DNTT 배리스터의 전기적 특성 변화 분석", The 26th Korean Conference of Semiconductors (KCS), (2019)
국내	442	김민재, 김소영, 이용수, 김승모, 이병훈, "Edge Contact Length가 그래핀-ZnO 배리스터에 미치는 전기적 특성 분석", The 26th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2019)
국내	441	김시현, 장경은, 권민규, 유태진, 이병훈, "Ge 도핑 농도에 따른 그래핀/Ge 쇼트키 접합 광소자의 특성 변화", The 26th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2019) Best poster award.
국내	440	권민규, 장경은, 김시현, 김소영, 유태진, 이병훈, "화학적 도핑을 적용한 그래핀-Ge 기반 광검출 소자의 암전류 감소", The 26th Korean Conference of Semiconductors (KCS), (2019)
국내	439	김민범, 허선우, 이호인, 김승모, 김채은, 민성욱, 이병훈, "게이트 유전체에 따른 그래핀-ZnO 배리스터의 전기적 특성 분석", The 26th Korean Conference of Semiconductors (KCS), (2019)
국내	438	이용수, 김승모, 김소영, 이호인, 허선우, 이병훈, "그래핀 성장 조건에 따른 그래핀/구리 배선의 전자이주현상 변화", The 26th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2019)
국내	437	So-Young Kim, Kyoung Eun Chang, Hyeon Jun Hwang and Byoung Hun Lee, "The study of graphene depending on surface property of substrate", Nano Convergence Conference (NCC), (2019)
국내	436	Sunwoo Heo, Kiyung Kim, Ho-In Lee, Yongsu Lee, Seung-Mo Kim, Hyeon Jun Hwang, Byoung Hun Lee, "Graphene barristor based rectifier for dc level shift", Nano Convergence Conference (NCC), (2019) Best poster award.
국내	435	김기영, 허선우, 이호인, 김승모, 김채은, 이린, 황현준, 성명모, 이병훈, "회로 설계 관전에서의 삼진 논리 소자 최적화 방향 제시", Nano Convergence Conference (NCC), (2019)
국제	434	Hyeon Jun Hwang, Billar Allouche, Sang Kyung Lee, Byoung Hun Lee, "Optimization of Hf0.5Zr0.5O2 for graphene/ferroelectric memory FET", Int. Conf. on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE), (2018)
국제	433	Sunwoo Heo, Kiyung Kim, Seung-Mo Kim, Ho-In Lee, Hyeji Lee, So-Young Kim, Byoung Hun Lee, "Insight for optimization of graphene barristor based devices and circuits", Int. Conf. on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE), (2018)
국제	432	Kiyung Kim, Sunwoo Heo, Sunmean Kim, Seung Mo Kim, Ho-In Lee, Billal Allouche, Seokhyeong Kang, Byoung Hun Lee, "Multi-threshold graphene barristor for standard ternary inverter", Int. Conf. on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE), (2018)
국제	431	So-Young Kim, Yongsu Lee, Jae Young Jeong, Seung-Mo Kim, Byoung Hun Lee, "Improvement in Electrical Characteristic of ZnO-graphene Barristor by Edge Contact Length Controlling", Int. Conf. on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE), (2018) Best poster award.
국제	430	Seung-Mo Kim, Sunwoo Heo, Ho-In Lee, Yongsu Lee, So-Young Kim, Tae Jin Yoo, Byoung Hun Lee, "Schottky barrier height extraction of p-type semiconductor barristor", Int. Conf. on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE), (2018)
국제	429	Yongsu Lee, Sunwoo Heo, Hyeon Jun Hwang, Ho-In Lee, Seung-Mo Kim, Tae Jin Yoo, Byoung Hun Lee, "Nano‐Electro‐Mechanical(NEM) switch and Schmitt trigger application using multilayer graphene", Int. Conf. on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE), (2018)
국제	428	So-Young Kim, Min Beom Kim, Hyeon Jun Hwang, Billal Allouche, and Byoung Hun Lee, “Ternary graphene field effect transistors using chemically doped graphene”, Int. Conf. on Solid State Device and Materials (SSDM), (2018)
국제	427	Seung Mo Kim, Sunwoo Heo, Hyeji Lee, Ho In Lee, Kiyung Kim, Yun Ji Kim, So-Young Kim, Billal Allouche, and Byoung Hun Lee, “Vth control in p-type graphene barristor using a polymer doping process”, Int. Conf. on Solid State Device and Materials (SSDM), (2018)
국제	426	B.H.Lee, Y.J.Kim, T.J.Yoo, S.Y.Kin, H.Jun.Hwang, S.K.Lee, "Electronic device applications of graphene for future semiconductor technology," IUMRS-ICAM, Daejon, Korea (2018). *Invited*
국제	425	So-Young Kim, Cihyun Kim, Ho-In Lee, Kiyung Kim, Kyoung Eun Chang, Sunwoo Heo, Byoung Hun Lee, "Effect of deposition temperature of ZnO(:N) for electrical characteristic of graphene barristor", Nano Korea, (2018).
국제	424	Yongsu Lee, So-Young Kim, Seung Mo Kim, Kyoung Eun Chang, Ho-In Lee, Sunwoo Heo, Byoung Hun Lee, "Contact resistance properties for Nickel-n-type Silicon using graphene interlayer", Nano Korea, (2018).
국제	423	Sunwoo Heo, Seung Mo Kim, Kyoung Eun Chang, Ho-In Lee, Kiyung Kim, Tae Jin Yoo, So-Young Kim, Yongsu Lee, Byoung Hun Lee, "Impact of charged impurities on graphene barristor", Nano Korea, (2018).
국제	422	B.H.Lee, Y.J.Kim. T.J.Yoo, S.Y.Kim, H.J.Hwang, S.K.Lee, "Electronic device applications of graphene for future semiconductor technology," Graphene 2018, Dresden, Germany (2018). Invited
국제	421	S. Y. Kim, H. J. Lee, S. M. Kim, K. Y. Kim, K. E. Chang, S. K. Lee, H. J. Hwang, S. Heo, B. H. Lee, "Device applications of chemically doped graphene," Silicon Nanoworkshop (SNW), (2018).
국제	420	S.C. Kang, S. K. Lee, S. Heo, S. M. Kim, S. K. Lim and B. H. Lee, “Reliability characteristics of MIM capacitor studied using delta C-F characteristics,” to be presented at Int. Rel. Phys. Symp., (2018).
국내	419	김민범, 김소영, 이병훈, "UV/오존 노출 후 변화된 그래핀 FET의 전기적 특성 분석", The 25th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2018)
국내	418	김소영, 김민범, 전은기, 정경준, 김윤지, 이병훈, "화학적 도핑 방법을 이용한 그래핀 pn 접합의 형성", The 25th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2018), Best poster award.
국내	417	김기영, 허선우, 김소영, 이혜지, 김윤지, 이호인, 김승모, 이병훈, "간단한 그래핀 패턴을 이용한 저항 제작 및 특성 연구", The 25th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2018)
국내	416	김승모, 강수철, 임성관, 허선우, 이호인, 이용수, 이병훈, "동작 메커니즘에 기반한 Tunnel FET의 신뢰성 측정법에 관한 연구", The 25th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2018)
국내	415	김시현, 장경은, 유태진, 권민규, 이병훈, "ZnO top gate를 이용한 그래핀/Ge 쇼트키 접합의 광소자 응용", The 25th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2018), Best poster award.
국내	414	이혜지, 김윤지, 한경주, 김소영, 허선우, 김지환, 윤명한, 이병훈, "전하 주입 층을 이용한 그래핀/DNTT 배리스터의 전기적 특성 조절", The 25th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2018)
국내	413	이호인, 허선우, 김시현, 김윤지, 김승모, 김기영, 이용수, 이혜지, 이병훈, "ZnO:N-그래핀 접합 배리서터의 TiO2 층 페시베이션 효과", The 25th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2018)
국내	412	허선우, 이호인, 김기영, 이영곤, 박호경, 이석규, 김승모, 노진우, 이병훈, "DRAM의 센싱 margin 개선을 위한 MIM capacitor 의 주파수분산특성연구", The 25th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2018)
국내	411	황진하, 이상경, 이병훈, "Roll-to-Pate(R2P) 공정 기반의 새로운 3차원 직접 기술 개발 및 수직 전극을 이용한 층 간 연결", The 25th Korean Conference on Semiconductors (KCS), (2018)
국내	410	황현준, 이병훈, "Application of Graphene-ZnO:N barristor with high on/off ratio", Nano Convergence Conference (NCC), (2018)
국내	409	권민규, 장경은, 김시현, 이병훈, "Planarization of Ge surface through Hydrogen annealing for graphene/Ge hybrid device application", Nano Convergence Conference (NCC), (2018)
국내	408	이선규, 이병훈, "Effect of multiple deposition method on the morphology and the electrical properties of ALD-grown ZnO film", Nano Convergence Conference (NCC), (2018)
국내	407	황진하, 이상경, 이병훈, "Development of new 3D integration technology based on Roll-to-Plate process", Nano Convergence Conference (NCC), (2018)
국제	406	S. Y. Kim, Y. J. Kim, H. J. Hwang, S. K. Lee, and B.H.Lee, “Ternary graphene-ZnO barristor using a chemically doped graphene”, 48th IEEE Semiconductor Interface Specilaists Conference (SISC), (2017)
국제	405	S. Heo, Y. J. Kim, K. J. Han, K. Y. Kim, H. I. Lee, S. M. Kim, S. K. Lee, K. E. Chang, J. H. Kim, M. H. Yoon, and B.H.Lee, “Low temperature integrated complementary graphene barristor to overcome the thermal budget in monolithic 3D integration”, 48th IEEE Semiconductor Interface Specilaists Conference (SISC), (2017)
국제	404	S. C. Kang, S. K. Lee, J. Noh, S. Heo, S. M. Kim, S. K. Lim, and B. H. Lee, “Frequency dependent capacitance due to the stress polarity dependent defects in Metal/high- dielectric/Metal capacitor”, 48th IEEE Semiconductor Interface Specilaists Conference (SISC), (2017)

Patents/Book

구분	번호	제목
국내	33	이병훈, 장경은, "그래핀-반도체 이종접합 광전소자 및 이의 제조방법," 국내특허 (출원번호 10-2019-0052549)
국내	32	노진우, 허선우, 이병훈, 이영곤, "시간-도메인 반사 측정 신호를 이용한 고주파대역 정전용량 추출 방법, 장치 및 이를 구현하는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체," 국내특허 (사사: SK 하이닉스)
국제	31	Byoung Hun LEE, Yun Ji KIM, So Young KIM, " GRAPHENE TRANSISTOR AND TERNARY LOGIC DEVICE USING THE SAME (그래핀 트랜지스터 및 이를 이용한 3진로직 소자) " 해외출원번호, US 15/424154, 2017. [사사: 미래소재디스커버리사업, 정보전자디바이스산업원천기술개발사업]
국내	30	김윤지, 심창후, 김소영, 이병훈, "그래핀-반도체 쇼트키접합을 이용한 터너리 스위치, Ternary switch using a graphene-semiconductor Schottky junction" 국내출원번호, 2016-0150019 (2016.11.11), 2016. [사사: 글로벌프론티어사업, 미래소재디스커버리 사업]
국내	29	이병훈, 조지영, "전압변조다중유전율소재," 국내출원번호, 2015.
국내	28	이병훈, 장경은, 유태진, 황현준,"이득조절이 가능한 그래핀-반도체 쇼트키접한 광전소자 Gate tunable graphene/Si Schottky junction photodetector" 국내출원번호, 10-2016-0024910 (2016.03.02), 2016., 등록번호 10-1938934 (2019-01-09) [사사: 글로벌프론티어]
국내	27	이병훈, 김윤지, 김소영, " 그래핀 트랜지스터 및 이를 이용한 3진논리 소자, " 국내출원번호, 10-2016-0015088, 2016. [사사: 창의소재디스커버리사업, 정보전자디바이스산업원천기술개발사업]
국내	26	이병훈, 정현담, "실시간 밴드갭조절이 가능한 극박막실리콘전계효과소자", 국내출원번호 2015-0168406 (2015.11.30)
국제	25	유원종, 이대영, 류정진, 이병훈, "이차원소재의 화학적 도핑을 이용한 수직형 박막 p-n 다이오드," 국내출원번호 2015-0110924 (2015.08.06). 등록 번호 10-1818657 [사사: 글로벌프론티어사업]
국제	24	Sang Kyung Lee, Sangchul Lee, Byoung Hun Lee, " Graphene transfer to target substrate using vacuum annealing method ( 진공 열처리를 이용하여 그래핀을 원하는 기판에 전사하는 방법 )", 해외 출원 번호 PCT/KR2015/000085, 2015. (사사:터치융복합클러스터, 글로벌프론티어)
국제	23	Byoung Hun Lee, Yong Hun Kim, Young Gon Lee, "반도체 장치의 검사방법및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리", US patent application No. 2013-0120988 , 2014. (사사: SAMSUNG System LSI, IB-201305-020-1-US0, 과기원관리번호: IP12110705)
국내	22	Chang Goo Kang, Sang Kyung Lee, Byoung Hun Lee, "그래핀 포토디텍터 및 그 제조 방법 (Graphene photodetector with Al2O3 passivation layer) ", 국내출원 번호 2014-0002154, 2014. (사사:미래융합파이오니어, 글로벌프론티어)
국내	21	Sang Kyung Lee, Sangchul Lee, Byoung Hun Lee, " Graphene transfer to target substrate using vacuum annealing method ( 진공 열처리를 이용하여 그래핀을 원하는 기판에 전사하는 방법 )", 국내 출원 번호 10-2014-0001059, 2013. (사사:터치융복합클러스터, 글로벌프론티어)
국내	20	Yong Hun Kim, Young Gon Lee, Byoung Hun Lee, " 반도체 장치의 검사 방법 및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리", 국내출원번호: 10-2013-0120988 (사사: 삼성전자 System LSI)
국제	19	Byoung Hun Lee, Hyeon Jun Hwang, Yun Ji Kim, " Graphene multi-valued logic device, operation method thereof, and fabrication method thereof ", 해외 출원 번호 : 14/136493 (해외출원) (사사: 미래융합파이오니어, 글로벌 프론티어)
국내	18	Byoung Hun Lee, Hyeon Jun Hwang, Yun Ji Kim, " 그래핀 다치 로직 소자, 이의 동작방법 및 이의 제조방법 ", 국내출원번호 2012-0150200, 국내 등록 번호 1423925, Dec. 2012 (국내출원) (사사: 미래융합파이오니어, 글로벌 프론티어)
국제	17	Hyeon Jun Hwang and Byoung Hun Lee, " 그래핀을 이용한 메모리 소자 및 이의 제조 방법," 출원번호 PCT/KR2012/005186, June, 2012 (해외출원)
국내	16	Hyeon Jun Hwang and Byoung Hun Lee, " 그래핀을 이용한 메모리소자 및 이의 제조방법," 출원번호 2012-0071127, June, 2012 (국내출원)
국내	15	Byoung Hun Lee, Hyeon Jun Hwang, , "강유전체를 이용한 그래핀 PN 접합소자 및 이의 제조방법," 출원번호 10-2011-0065159.
국내	14	Byoung Hun Lee, Eun Jeong Paek, Hyeon Jun Hwang, Chun Hum Cho, "압전효과를 이용한 그래핀 터치센서," 출원번호 10-2011-0030182, 2011.
국내	13	Byoung Hun Lee, Hyunsang Hwang, and Chunhum Cho, “그래핀 제조방법,” 출원번호. : 10-2009-0099611, 2011.
국내	12	Byoung Hun Lee , Hyunsang Hwang, “나노스위치," 출원번호 10-2009-0040570, 2011.
국제	11	K.P.Cheung, D.Heh, R.Choi, B.H. Lee, “Method for measuring capacitance”, U.S. patentNo. 6828630, 2009.06.16
국제	10	A.Chou, M.Chudzik, T.Furukawa, O.Glueschenkovm P.Kirsch, B.H.Lee, K.Onishi, H.Park, K.Scheer, A.Sekiguchi, “Forming gate oxide having multiple thickness,” U.S. patent No. 7,160,771, 2007.
국제	9	H. Park, B. H. Lee, P. D Agnello, D.J. Schepis, G.G. Shahidi, “CMOS device on ultrathin SOI with a deposited raised source/drain, and a method of manufacture ,” US patent No.6891228 and No. 6828630, 2005.
국제	8	B.H. Lee, B.Dirahoui, E.Leobandung, T.Su, “Triple layer hard mask for gate patterning to fabricate scaled transistor,” US patent No.6800530, 2004
국제	7	B.H. Lee and A.Mocuta, “Method of forming asymmetric extension MOSFET using a drain side spacer ,” US.Patent No.6746924, 2004.
국제	6	B.H. Lee, E.Leobandung, G.Shahidi, “ Integration of dual workfunction metal gate CMOS devices,” US patent No. 6653698, 2003.
국제	5	G.Cha, B.H. Lee, "Apparatus and methods for wafer debonding using a liquid jet,” US patent No.5783022, 1998.
국제	4	B.H. Lee, "Wafer polishing device,” US patent No.5735731, 1998.
국제	3	B.H. Lee, "Semiconductor device having X-ray lithographic mask and method for manufacturing the same,” US patent No. 5700603, 1997.
국제	2	B.H. Lee, C.J.Kang, K.W.Lee, G.Cha, "SOI substrate manufacturing method,” US patent No.5665631, 1997.
국제	1	B.H. Lee, J.H.Lee,"Chemical mechanical polishing(CMP) apparatus and CMP method using the same,” US patent No.805697, 1997.

Other Expertise

Technical Skills

Electrical characterization of graphene device
Graphene Transfer process (PMMA method)
Graphene based device fabrication
Photolithography process

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Master

Introduction to material science and engineering
Organic Materials for Electronics and Photonics
Post CMOS Hybrid Device Technology
Device physics for nanoscale solid state devices
Introduction to Patent
Advanced Thermodynamics
Entrepreneurship

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[2015-05-13] 보도자료	2015.05.13
[2015-03-28] 성과를 나누는 지식활동	2015.04.27

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