“반도체 장치의 검사방법및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리”, US patent application No. 2013-0120988 , 2014. (사사: SAMSUNG System LSI, IB-201305-020-1-US0, 과기원관리번호: IP12110705)

“여러 파장대에서 동작하는 그래핀 포토디텍터(Graphene photodetector with Al2O3 passivation layer) “, 국내출원 번호 2014-0002154, 2014. (사사:미래융합파이오니어, 글로벌프론티어)

” Graphene transfer to target substrate using vacuum annealing method ( 진공 열처리를 이용하여 그래핀을 원하는 기판에 전사하는 방법 )”, 국내 출원 번호 10-2014-0001059, 2013. (사사:터치융복합클러스터, 글로벌프론티어)

” 반도체 장치의 검사 방법 및 이에 사용되는 프로빙 어셈블리”, 국내출원번호: 10-2013-0120988 (사사: 삼성전자 System LSI)

” Graphene multi-valued logic device, operation method thereof, and fabrication method thereof “, 해외 출원 번호 : 14/136493 (해외출원) (사사: 미래융합파이오니어, 글로벌 프론티어)

” 그래핀 다치 로직 소자, 이의 동작방법 및 이의 제조방법 “, 국내출원번호 2012-0150200, 국내 등록 번호 1423925, Dec. 2012 (국내출원) (사사: 미래융합파이오니어, 글로벌 프론티어)